本书搜集整理了2001年之前，国内外数百家场效应管生产厂家生产的几万种场效应管型号。全书共分三大部分：第一部分介绍了场效应管材料、特性、用途等的查阅方法。第二部分以表格的形式介绍了器件型号、生产厂家、性能、参数、替换型号及外形参考图等；其中第1栏为器件型号，按A、B、C、D……英文字母顺序和1、2、3、4……数字大小依次排列；第2栏为生产厂名；第3栏为器件用途与参数，详细表示出器件的用途及栅-源极限电压或漏-源极限电压（V）、最大漏极电流（A）、漏极最大耗散功率或集电极（特指IGBT管）耗散功率（W）和gm（跨导）等参数；第4栏为图号；第5栏为国内外相似替换器件型号，通过该栏提供代换依据，并在备控中说明某些器件代换的条件；第6栏为外形参考图，将器件外形根据内容需要排列在同一页面上。第三部分为场效应管器件外形尺寸图，供设计人员设计电器产品使用。本书的特点是：内容丰富、数据准确、图文并茂、查阅方便、版面美观、物美价廉。

一、手册使用详解

场效应管（又名半导体场效应管〕器件，具有抗辐射能力强、输入阻抗高等特点，它广泛应用于各种电子设备和电子电器中，是半导体器件之一。在科学技术迅速发展的今天，场效应管器件具有普通晶体三极管所没有的独特优异功能而得到广泛应用。为此，本手册收集了国内外数百家场效应管生产厂家生产的几万种场效应管器件型号，包括金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、结型场效应管（JFET）、金属半导体场效应管（MES）、肖特基势垒控制栅场效应管（SB）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、绝缘栅场效应管（IGFET）等属于场效应管系列的单管、对管及组件。