内 容 简 介

本书是一本基础读物，全书分两篇。上篇低频电路基

础共分8章，下篇高频电路基础共分11章。其主要内容包

括：晶体管原理，各种放大电路，频率变化电路，振荡器

和整流滤波等电路的工作原理和基本分析方法，同时分析

了电子设备中有关电子电路的基本概念、理论和典型电

路。在编写中力求物理概念，减少繁琐数学的推导过程，

使读者便于自学。

目 录

上篇 低频电路基础

第一章 半导体与晶体二极管

1—1 半导体与PN结

一、什么是半导体

二、N型和P型半导体

三、PN结及其单向导电性

1—2晶体二极管

一、晶体二极管的结构

二、二极管的伏安特性曲线

三、二极管参数及举例

四、二极管性能的简易测试

五、稳压管

复习题

第二章 晶体三极管

2—1晶体管的结构与放大作用

一、晶体三极管的结构

二、晶体三极管的电流放大作用

三、晶体管内部载流子的运动规律

四、我国半导体器件型号命名方法

2—2晶体管的特性曲线

一、输入特性曲线

二、输出特性曲线

2—3晶体管的主要参数

2—4温度对晶体管参数的影响

2—5利用万用表测试晶体三极管

复习题

第三章 晶体管放大电路基础

3—1放大器的基本概念

一、什么叫放大器

二、最简单的放大电路

三、静态工作点的设置

四、动态工作情况

五、直流通路和交流通路

六、晶体三极管的三种连接方法

七、电源电路的简化表示

八、放大电路的主要指标

3—2放大电路的基本分析方法

一、图解法

二、估算法

三、单管放大器设计举例

3—3静态工作点的稳定电路

一、分压式偏置电路

二、电压负反馈式偏置电路

三、温度补偿式偏置电路

3—4晶体管h参数等效电路

一、晶体管的等效电路和等效条件

二、晶体管的h参数等效电路

三、h参数的物理意义

四、简单的h参数等效电路

五、应用h参数等效电路分析基本放大器

3—5多级放大器的放大倍数

一、两级放大器放大倍数的计算

二、多级放大器放大倍数的计算

3—6阻容耦合放大器频率特性分析

一、放大器的频率特性

二、耦合电容C↓1、C↓2的选择

三、发射极旁路电容C↓0的选择

四、耦合电容和射极旁路电容同时作用下的放大器下限频率

复习题

第四章 负反馈放大电路

4—1负反馈的基本概念

一、什么是负反馈

二、负反馈的类型

4—2负反馈对放大器性能的影响

一、负反馈对放大倍数的影响

二、负反馈提高了放大倍数的稳定性

三、负反馈对频率特性的改善

四、负反馈对非线性失真的改善

五、负反馈对放大器噪声和干扰的改善

六、负反馈对输入电阻和输出电阻的影响

4—3负反馈放大器的基本电路

一、电流串联负反馈电路

二、电压串联负反馈电路

三、电压并联负反馈电路

四、电流并联负反馈电路

五、多极负反馈电路

4—4射极输出器

一、射极输出器的工作原理

二、射极输出器的跟随特性

三、射极输出器的计算

四、射极输出器的应用

复习题

第五章 场效应管放大电路

5—1场效应管的工作原理及特性

一、结型场效应管

二、绝缘栅场效应管

三、场效应管的主要参数和使用注意事项

四、场效应管和晶体管的比较

5—2场效应管放大器

一、静态工作点

二、场效应管的交流等效电路

三、放大倍数和输入输出电阻

四、源极输出器

复习题

第六章 直流放大器

6—1直流放大的主要问题

一、级间耦合问题

二、零点漂移问题

6—2直流放大器的直接耦合方式

一、提高后级的发射极电位

二、NPN—PNP型管直接耦合

6—3零点漂移产生的原因及消除措施

一、产生零点漂移的原因

二、温度补偿电路

6—4差动放大器

一、差动放大器的工作原理

二、典型的差动放大器

三、具有恒流源的差动放大器

四、其它接法的差动放大器

复习题

第七章 功率放大电路

7—1对功率放大电路的要求

一、输出功率要大

二、非线性失真要小

三、效率要高

7—2甲类单管功率放大器

一、甲类功率放大器的分析

二、甲类功率放大器的设计举例

三、甲类功率放大器存在的问题

7—3乙类推挽功率放大电路

一、乙类推挽功率放大电路的工作原理

二、乙类推挽放大器工作的图解分析法

三、非线性失真

四、推挽功率放大电路的计算

五、计算举例

7—4无输出变压器功率放大电路

一、输入变压器倒相式推挽电路

二、互补对称式推挽电路

三、等效互补对称的推挽电路

7—5功率管的散热问题

复习题

第八章 整流与稳压

8—1整流电路

一、半波整流电路

二、全波整流电路

三、桥式整流电路

8—2滤波电路

一、电容滤波器

二、电感滤波器

三、倒L型滤波器

四、π型滤波器

8—3稳压电路

一、硅稳压管稳压电路

二、晶体管稳压电路

三、提高稳压电源性能的几种电路

四、稳压电源的过电流保护措施

五、截止型过电流保护电路

复习题

下篇 高频电路基础

第一章 绪论

1—1无线电信号的初步概念

1—2电磁波

一、电磁波是由电磁振荡产生的

二、电磁波的特性

三、电磁波的发射

1—3调制与调幅信号简介

一、调制的概念

二、调幅信号的数学表示式及波形

1—4信号的频谱特性

一、任何形式信号的分解

二、频谱图

三、信号的频带宽度

四、调幅信号的频谱及其带宽

1—5广播、电视发送的方框图

一、广播发送系统的方框图

二、电视发送系统的方框图

1—6接收无线电广播的主要过程

1—7无线电波波段的划分

1—8无线电波的传播

复习题

第二章 电路元件的高频特性

2—1电感线圈的电感量与高频特性

2—2电容器的电容量与高频特性

2—3屏蔽

复习题

第三章 简单谐振回路

3—1串联谐振回路

一、串联回路电流的数学表示式

二、串联回路的电流谐振曲线

三、串联回路的相频特性曲线

四、回路的谐振频率

五、回路的品质因数

六、计算例题

3—2并联谐振回路

一、并联回路端电压的数学表示式

二、并联回路的电压谐振曲线

三、并联回路的电压相频特性曲线

四、并联回路的谐振频率

五、并联回路的品质因数

六、并联回路的谐振电阻

七、串、并联谐振回路的对偶关系

3—3谐振曲线的抑制比

3—4谐振回路的通频带

3—5谐振回路的选择性

3—6信号源内阻及负载对谐振回路的影响

一、对串联谐振回路的影响

二、对并联谐振回路的影响

三、考虑信号源的输出电容和负载电容的影响

复习题

第四章 晶体管的共发射极等效电路

4—1晶体管等效电路的概念和类型

一、等效电路的概念

二、晶体管等效电路的定义

三、晶体管等效电路的类型

4—2晶体二极管的高频等效电路

一、势垒电容C↓T

二、扩散电容C↓D

4—3晶体管的共发射极混合π型等效电路

一、混π等效电路的导出

二、混π参数的意义

三、混π等效电路的简化

4—4晶体管的电流放大系数

一、晶体管共发射极电流放大系数

二、电流放大系数β的讨论

4—5晶体管的频率参数f↓β和f↓T

一、晶体管共射电流放大系数β的截止频率f↓β

二、晶体管的特征频率f↓T

4—6晶体管的Y参数等效电路

一、四端网络的Y参数方程组

二、Y参数等效电路

三、晶体管Y参数的定义

四、Y参数与混π参数的关系及Y参数的物理意义

4—7两种等效电路的比较

复习题

第五章 小信号单调谐放大电路

5—1引言

一、调谐放大器的作用

二、调谐放大器的分类

三、小信号调谐放大器的主要指标

5—2小信号单调谐放大器电路的工作原理

一、静态工作情况

二、动态工作情况

三、电路中各元件的作用

5—3单调谐放大器的等效电路

5—4谐振频率、品质因数与谐振电阻

5—5单调谐放大电路谐振时的增益

5—6单调振放大电路的通频带和选择性

一、调谐放大器的通频带

二、调谐放大器的选择性

三、单调谐放大器通频带与选择性的矛盾

5—7多级单调谐放大器的级联

一、多级单调谐放大器的总增益

二、多级单调谐放大器的通频带

三、多级调谐放大器的选择性

复习题

第六章 双谐振耦合回路与双调谐放大器

6—1引言

一、双谐振耦合回路及其形式

二、采用双谐振回路的理由

6—2电容耦合双谐振回路

一、初、次级相同的双回路的谐振曲线

二、初、次级不相同的双回路谐振曲线

6—3互感耦合双谐振回路

6—4双调谐放大器

一、电压增益

二、选择性和通频带

三、双调谐放大器的级联

复习题

第七章 阻容耦合宽频带放大电路

7—1RC电路的频率特性

一、RC电路频率特性的概念

二、相位超前的RC电路

三、相位滞后的RC电路

7—2 共射阻容放大器的基本电路

一、基本电路

二、 密勒效应

7—3负载为纯电阻时阻容放大电路分析

一、电压增益

二、通频带与上截止频率

三、信号源内阻对高频特性的影响———源电压增益的概念

7—4负载为容性时阻容放大电路分析

7—5扩展放大器通频带的电路

一、串联负反馈宽放电路

二、并联负反馈宽放电路

三、高频补偿宽放电路

四、组合管宽放电路

复习题

第八章 LC正弦波振荡电路

8—1自激振荡电路的基本工作原理

8—2自激振荡的起振与稳幅过程

一、自激振荡的建立过程及其起振条件

二、自激振荡的稳幅过程

8—3变压器耦合反馈式振荡电路

一、相位起振条件的满足与振荡频率

二、振幅起振条件的满足

三、振荡器的偏置电路

四、变压器反馈振荡电路的几种形式

8—4三点式振荡电路

一、电容三点式振荡电路

二、电感三点式振荡电路

8—5 改进型电容三点式振荡电路

一、串联改进型振荡电路

二、并联改进型振荡电路

8—6石英晶体振荡器

一、石英晶体的压电效应及等效电路

二、石英晶体振荡器

8—7RC低频振荡电路

一、RC移相式振荡电路

二、串并联式RC振荡电路

复习题

第九章 振幅调制与检波

9—1非线性器件的频率变换作用

一、单一余弦电压作用下的频率变换

二、两个不同频率余弦电压作用下的频率变换

9—2调幅波的性质

一、调幅波的波形、表示式和频谱

二、调幅波的能量分配

9—3产生调幅波的电路

9—4检波器概述

9—5二极管检波电路工作的物理过程

9—6大信号（峰值）检波器

一、检波效率

二、输入电阻

二、检波的失真

9—7二极管检波器的实际电路举例及元件参数的选择

复习题

第十章 调频与鉴频

10—1 调频信号的性质

一、调频信号的波形

二、调频信号的数字表示式

三、调频信号的频谱和频带宽度

四、调频信号的功率

10—2调频信号的产生

一、变容二极管

二、变容二极管调频电路

10—3调频信号的解调—一鉴频

10—4斜率鉴频器

10—5相位鉴频器

一、平衡输出相位鉴频器

二、不平衡输出相位鉴频器

三、电容耦合回路相位鉴频器

10—6比例鉴频器

一、基本电路工作原理

二、抑制寄生调幅的原理

三、两种实用的比例鉴频电路

10—7调频制与调幅制性能的比较

复习题

第十一章 变频

11—1概述

11—2 实现变频的方法

11—3变频跨导的概念

11—4三极管的变频增益

11—5 三极管变频器的实际电路

11—6设计变频器的一些考虑

复习题

2.P型半导体

若在本征半导体中，掺入少量三价元素（如硼），如图1—4（b）所示。这时掺入的硼原

子也要抢占一个原来由硅原子占据的位置.硼原子的最外层只有3个价电子，它在同4个相

邻的硅原子结合成共价键时，还缺少一个电子，附近硅原子中的价电子，只要获得很小的能

量，就能跳到硼原子上去.这时，硼原子由于获得了一个电子，而成为带负电的离子。这个

负离子被限制在晶体结构中，不能移动，不参加导电。而在失去一个电子的硅原子中产生了

一个带正电的空穴，所以硅中每掺入一个硼原子，就等于提供一个空穴载流子.

因此在这种掺有三价杂质的半导体中，空穴载流子的数目很多，是多数载流子，而电子

载流子却很少，是少数载流子。这种半导体主要靠空穴导电，所以叫做空穴型半导体，简称

P型半导体。

应该指出，不管是P型半导体还是N型半导体，就整块半导体说，它既没有失去电子，

也没有获得电子，所以是呈电中性的，即不带电的.

P型（或N型）半导体的电阻率主要决定于其多数载流子的密度。在P型（或N型）半导

体中，掺入的P型（或N型）杂质的浓度越大，电阻率就越低.所以P型（或N型）半导体的

电阻率，可以通过掺入不同浓度的P型（或N型）杂质来控制.在半导体集成电路中，就是

利用掺入一定杂质的半导体作为电阻的.

实际上在一块半导体中，常常既有P型杂质，又有N型杂质。由于一个P型杂质原子，可

以抵消一个N型杂质原子的作用，因此浓度大的那种杂质决定其导电类型。例如，在硅中先

掺入磷，成为N型硅，然后再掺入硼，而当硼的浓度超过磷时，N型硅就转化成了P型硅。使

原来的自由电子绝大部分与空穴复合，剩下的自由电子数目就变得很少了，而空穴成为多数

载流子。

总之，利用掺杂的方法，可以人为地将半导体分为两类：一类半导体中含有大量的电

子，而空穴很少，叫做N型半导体：另一类半导体中含有大量的空穴，而电子很少，叫做P

型半导体。

三PN结及其单向导电性

在一块P型半导体的局部区域中掺入五价杂质（如磷）， 形成一个N型区域；或在一块

N型半导体的局部区域中掺入三价杂质（如硼），形成一个P型区。这样，使一块完整的半

导体一部分为N型，另一部分为P型，它们的交界处便会形成一个具有特殊性质的薄层，称

为PN结。

尽管PN结是由P型 和N型半导体组成， 但是它们一旦形成PN结，就产生了P型或N型半

导体单独存在或两者互相接触时所没有的新特性， 从而使PN结成为二极管、三极管以及可

控硅等半导体器件基础。所以我们首先要熟悉PN结的基本特性。

1.PN结单向导电的现象

我们先通过一个简单实验来看看PN结单向导电的现象是怎样的。

在图（a）中，PN结的P区接直流电源的正极，N区接负极，此时灯亮。这种接法称为

PN结的正向连接，PN结中的电流叫做正向电流。这说明了正向连接时，正向电流很大。

在图（b）中，PN结的P区接直流电源的负极，N区接正极，此时灯不亮。这种接法称

为PN结的反向连接，PN结中只有极微少的电流，叫做反向电流。

在图（c）中，用电阻R代替PN结后，无论开关k扳在电源正极或负极，灯都一样亮。

以上现象说明了PN结的导电特性是与普通电阻不同的，它的导电能力是与电源极性的

接法有关。当PN结的P区接电源正极，N区接电源负极时，PN结所呈现的电阻值很小，电

流很大。反之，PN结所呈现的电阻值很大，电流很小。这就是PN结极重要的特性，称之为

PN结的单向导电性。这一特性使PN结获得极广泛的用途。

2.PN结形成的过程

为了解释PN结所以具有单向导电特性的原因，我们来看一下PN结内部载流子的运动的

规律以及PN结是如何形成的，这对理解PN结的特性是很有帮助的。

在PN结中载流子（电子与空穴）有两种运动形式。即扩散运动和漂移运动。

所谓扩散运动是指物质从浓度大的地方向浓度小的地方运动。警如，把蓝墨水（浓度大）

滴在一杯清水（浓度小）中，蓝色分子会自动地向四周扩散开来，直到整杯水的颜色均匀为

止，这种现象就是扩散运动。